the universal memory solution!

中文 | English

磁宇聘请都有为院士为公司资深科技顾问 

      10月5日至6日,上海磁宇信息科技有限公司非常荣幸地邀请中国科学院院士、南京大学物理系都有为教授来访。都有为院士为国内磁电子学(即自旋电子学)与磁性材料科学方面的著名科学家,致力于自旋电子学在中国的产业化发展,曾于2013年底领衔国内二十三位院士联名向国家提出大力发展自旋电子产业的倡议书,得到国务院领导的重视和批示。都院士饶有兴趣地参观了上海物联网中心以及正在兴建中的中国第一条研发及制造生产12吋新型磁性随机存储器(MRAM)的中试线基地,并与公司创业团队进行了会谈。公司三位共同创始人,分别为都院士介绍了国际PSTT-MRAM技术及产业的发展情况,以及公司的发展现状和规划前景。

      都院士高度评价磁宇核心团队回国创业,带来了位于国际最先进的磁存储器研发和工艺制造技术及管理经验。都院士认为,国内发展PSTT-MRAM产业迫在眉睫,磁宇建设的MRAM基地若能成功量产,将是中国弯道超车赶上及超过国外领先水平、实现国内高端记忆芯片自给自足的宝贵机会;而作为自旋电子产业主体的MRAM核心芯片的发展,也可能是国内集成电路工业未来二十年内迎头赶上国际领先水平的唯一机会。他表示愿意协助磁宇,为实现国产第三代、第四代随机存储器芯片的生产贡献一份力量,这将有望填补中国在磁性随机存储技术——这一国际前沿存储技术的空白。

      访问期间,都有为院士接受聘任为上海磁宇信息科技有限公司资深科学技术顾问,公司总裁郭一民博士为都院士颁发了聘任书。 

      都有为院士,长期从事磁电子学和磁性材料的研究工作,在国际上较早地开始了纳米材料磁性的研究,他的研究方向延伸至纳米磁学的各个领域。他在国内较早地开展颗粒膜的磁光效应与磁电阻效应、反常霍尔效应的研究,然后进入到自旋电子学的领域,开拓了半金属与稀磁半导体材料的研究,取得了一系列创新性成果。近十几年,他先后承担了多项国家、省级科研项目,并荣获何梁—何利科技奖、国家自然科学二等奖以及省部级多个奖项。

     上海磁宇信息科技有限公司,是国内第一家掌握国际前沿技术的MRAM高科技企业,公司核心团队均为来自美国硅谷的国际著名的磁纳米器件设计及制造方面的专家, 具有长达十几年的MRAM芯片的开发经验,并且也是来自于世界上仅有的两个有量产经验的团队之一。公司目前已拥有30项MRAM材料及芯片工艺制造与设计等方面的美国发明专利申请, 掌握的MRAM智慧知识产权(IP)和关键制造工艺技术,尤其在第四代芯片研发上,领先于其他竞争对手,处于国际绝对领先地位。